Offre d'emploi n° 17695815

Description du poste

Chez ST, nous croyons à la puissance de la technologie pour stimuler l'innovation et avoir un impact positif sur les personnes, les entreprises et la société. Nous sommes une entreprise mondiale de semi-conducteurs, et notre technologie avancée ainsi que nos puces constituent la partie invisible du monde dans lequel nous vivons aujourd'hui.
Lorsque vous rejoignez ST, vous faites partie d'une entreprise globale de plus de 115 nationalités et présente dans 40 pays, avec plus de créateurs et fabricants de technologies microélectroniques à travers le monde Tous ensemble, nous formons une seule et même ST.
Développer des technologies nécessite plus que du talent : il faut des personnes incroyables qui comprennent la culture de collaboration et de respect. Il faut des personnes passionnées, et avec l'envie de bouleverser le statu quo, de repousser les limites et de stimuler l'innovation, tout en libérant leur potentiel.
ST a reçu la certification Top Employer France et le label HappyTrainees 2024 qui nous reconnaissent en tant qu'employeur de référence et démontrent notre engagement à placer l'humain au cœur de nos priorités.
A propos de vos missions
Avec l'émergence des concepts de calculateurs visant à exploiter des propriétés issues de la physique quantique (" calculateurs quantiques ") ainsi que les besoins significatifs de circuits numériques pour les applications spatiales, les technologies CMOS FD-SOI (Fully-Depleted-Silicon-On-Insulator) ont été identifiées comme candidates prometteuses pour la conception de circuits classiques ou quantiques. Cependant, le comportement de ces dispositifs à des températures cryogéniques jusqu'à 4K, diffère fortement de celui observé à température ambiante (300K). De plus, dans le cas des circuits de contrôle et de lecture de bits quantiques, par exemple certaines parties fonctionnent à des fréquences de plusieurs GHz. Ainsi le développement de modèles compacts adaptés est indispensable pour le design de circuits qui fonctionnent dans ces conditions.
Pour couvrir à la fois les besoins numériques et analogiques, ces modèles compacts doivent prendre en compte non seulement une description du transistor isolé et idéal, mais aussi de tous les éléments parasites/extrinsèques tel que la résistance de grille, le comportement du substrat, le bruit, les effets non quasi statiques, etc...
Néanmoins, l'état de l'art montre que les modélisations proposées à température cryogénique n'ont pas encore la qualité offerte à température ambiante. Les difficultés rencontrées sont liées à la mesure des caractéristiques électriques sur lesquelles se base la conception des modèles, et à la mise en forme compacte des équations du modèle à très basse température. A l'heure actuelle, aucune solution de modélisation compacte satisfaisante n'est proposée dans la littérature, notamment pour du FD-SOI.
L'objectif de cette thèse est donc de renforcer les connaissances scientifiques et techniques afin de modéliser précisément le comportement des transistors MOS des technologies FD-SOI en environnement cryogénique jusqu'à 4K.
Les principaux objectifs de cette thèse sont :

• Identification et modélisation des phénomènes physiques liés au comportement DC des transistors qui apparaissent à très basse température (mobilité, confinement quantique, etc...) et adaptation du modèle compact existant jusqu'à 4K.
• Modélisation du comportement dynamique des transistors (régime petit signal en RF jusqu'à 20GHz, effets transitoires, ...), des éléments parasites/extrinsèques (résistance, capacité, jonction, etc..) et validation du modèle avec des données expérimentales.
• Introduction du bruit en 1/f et RTN (Random Telegraph Noise) dans le modèle.

La personne aura à sa disposition des structures de test réalisées sur des technologies FD-SOI de STMicroelectronics, et les moyens de caractérisation à température cryogénique du CEA-Leti (bancs manuels cryogéniques DC & RF, à flux d'Hélium).
A propos de vous

• Titulaire d'un Master ou dipôme d'ingénieur avec de solides bases en physiques des semi-conducteurs et en micro/nano électronique
• Créativité, curiosité et autonomie seront des qualités particulièrement appréciées pour la réussite de ce projet de thèse
• Bon niveau d'anglais requis pour la documentation scientifique, la communication internationale et la collaboration avec des équipes multilingues.

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Nous rassemblons personnes présentes dans 40 pays et représentant 118 nationalités. Tous ensemble, nous formons une seule et même ST. La diversité fait partie intégrante de ce que nous sommes et de ce que nous faisons. Nous sommes convaincus que nous sommes tous des acteurs de l'inclusion et que nous devons apprendre à voir le monde à travers le regard des autres. Nous avons encore un chemin à parcourir mais, chaque jour, nous travaillons ensemble pour créer un lieu de travail plus équitable et plus inclusif, où vous pouvez réaliser tout votre potentiel.
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Nous encourageons tous les candidats et toutes les candidates, à postuler même s'ils ne répondent pas à tous les critères de l'offre car nous apprécions les profils variés et offrons des opportunités d'évolution et de formation. La diversité, l'équité et l'inclusion (DEI) font partie de la culture de notre entreprise. Notre vision DEI est : " Chez ST, vous pouvez être la vraie version de vous-même ", nous valorisons les contributions de chacun et chacune, et avons une tolérance zéro pour toute forme de discrimination.
Nous rejoindre, c'est aussi opter pour un meilleur équilibre entre vie professionnelle et vie personnelle, et un environnement de travail offrant des opportunités égales. Des groupes de ressources dédiés aux femmes, aux LGBTQIA+, des possibilités d'organisation du travail hybrides font partie des nombreuses initiatives qui font de ST un endroit propice pour le développement de votre carrière.
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